Новосибирск. 12 мая. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Ученые Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН (ИФП) рассчитывают в 2024 году завершить разработку полупроводникового материала для СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия на кремниевой подложке, сообщил завлабораторией института Денис Милахин журналистам в пятницу.
"В России эта технология не поставлена до сих пор. На следующий год мы подойдем к финальным слоям, в которых будет располагаться двумерный "электронный газ", отвечающий за перенос тока в транзисторе от контакта к контакту. (...) Эти слои гораздо тоньше, чем вся структура", - сказал он.
К настоящему времени специалисты лаборатории, созданной в ноябре 2022 года, отработали начальные стадии выращивания полупроводников и переходят к выращиванию промежуточных (буферных) слоев. При этом, совместить кристаллические решетки кремния и нитрида галлия очень сложно, отметил Милахин.
Всего в полупроводнике может быть от трех до 500 слоев, общая толщина пленки - около 3 мкм, уточнил он.
Конечное применение материал найдет в силовых и СВЧ-транзисторах, которые будет изготавливать индустриальный партнер.
"Нитридной электроникой на кремнии (в России - ИФ) занимаются, технологию эту пытаются развить, есть несколько предприятий, которые этим занимаются, но пока еще до промышленной технологии не дошло", - сказал Милахин.
Нитрид галлия может применяться при высоких температурах и сильных токах, что позволяет использовать его в силовой электронике (высоковольтные источники питания, беспроводные зарядные устройства, преобразователи напряжения), отметил ученый.
