Новосибирск. 31 октября. ИНТЕРФАКС-СИБИРЬ - Российский научный фонд поддержал проект Института физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН (ИФП, Новосибирск) по разработке производства полупроводников для фотоприемников в интегральных фотонных схемах, говорится в сообщении ИФП.
Проект "Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой" рассчитан на два года, финансирование составит 30 млн рублей ежегодно.
"Мы будем разрабатывать технологию создания германиевых слоев для фотоприемников, использующихся в фотонных интегральных схемах (ФИС), заказчик технологического предложения по этому проекту - АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" (АО "ЗНТЦ")", - приводятся в сообщении слова руководителя проекта - заведующего лабораторией ИФП Александра Никифорова.
Уточняется, что разработкой всей ФИС схемы займется АО "ЗНТЦ", лазер для ФИС будут делать в Физико-техническом институте им А.Ф.Иоффе (Санкт-Петербург).
Отмечается, что на чипе ФИС объединены оптические и электронные компоненты, поэтому использование ФИС позволяет увеличить скорость обработки и передачи данных в несколько десятков или даже сотен раз.
ФИС широко применяются в телекоммуникациях, в трансиверах - приборах, необходимых для одновременной обработки и передачи светового сигнала, пришедшего по оптическому волокну.
"В ходе выполнения гранта мы сделаем опытные образцы фоточувствительного материала, отработаем технологию роста и передадим ее АО "ЗНТЦ", - уточняет Никифоров.
Предполагается, что трансиверы по новым технологиям планирует производить АО "ЗНТЦ".
