Новосибирск. 5 сентября. ИНТЕРФАКС - Новая молодежная лаборатория Института физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН (Новосибирск) займется развитием технологии формирования полупроводникового материала на основе германия, кремния и олова для решения проблемы интеграции на едином кремниевом кристалле всего комплекса устройств оптоэлектроники и современной микроэлектроники, говорится в сообщении института.
"Подразделение создано в рамках национального проекта "Наука и университеты" и было отобрано по итогам конкурса Минобрнауки России", - говорится в сообщении.
Отмечается, что интерес к фотонным интегральным схемам (чипам), содержащим одновременно электронные и оптические компоненты, способные принять световой сигнал, обработать его и транслировать дальше, растет во всем мире, но продвижение таких оптоэлектронных устройств сдерживается несовместимостью в производстве широко распространенных кремниевых микросхем и материалов, отвечающих за взаимодействие со светом.
"Основная цель нашей молодежной лаборатории заключается в создании и развитии физико-технологических основ формирования многослойных гетероэпитаксиальных структур на основе соединений IV группы (германий - кремний - олово)", - отмечает заведующий лабораторией физики и технологии гетероструктур на основе элементов IV группы ИФП Вячеслав Тимофеев.
Гетероэпитаксиальные структуры - сложные многослойные композиции, где элементы укладываются с точностью до атома, а толщина слоев может составлять несколько нанометров.
Тимофеев отмечает, что все компоненты оптической интегральной схемы, такие как источники и приемники излучения, модуляторы и другие, могут быть созданы на базе гетероструктур германий - кремний - олово на кремниевой или германиевой подложке, совместимых с современной кремниевой технологией, при этом добавление олова в матрицу позволяет создавать светоизлучающие и фотоприемные устройства, работающие в более длинноволновом, по сравнению с исходным материалом, инфракрасном диапазоне.
Подчеркивается, что именно инфракрасный свет используется в телекоммуникациях: рабочие длины волн, на которых происходит передача информации в оптоволокне, находятся в инфракрасном диапазоне.
Поэтому, считают ученые, соединения германий - кремний - олово открывают возможность создания эффективных фотоприемных и светоизлучающих устройств, работающих в коротковолновом и среднем инфракрасном диапазоне.
"Подобные устройства перспективны для создания систем интегральной фотоники, оптической обработки информации, волоконно-оптических линий связи нового поколения, газовых и биологических сенсоров, использования в области биомедицинской диагностики и дистанционном зондировании, тепловидении", - резюмирует Тимофеев.
Ранее ученые создали образцы фотоприемных структур. В рамках исследовательской деятельности новой лаборатории стоит более глобальная задача - создание макетов фотоприемных и светоизлучающих структур, работающих в коротковолновом и среднем инфракрасном диапазонах.
